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【名校论文】超纯水处理系统的研制

光刻工艺的变革是引起半导体行业发展的重要因素，随着传统干式光刻过渡到浸没式光刻，集成电路特征尺寸已经突破了 45nm。浸没式光刻和传统干式光刻的主要区别在于物镜与硅片之间填充了一层高折射率的浸没液，这层浸没液就是本文需要研制的超纯水。半导体标准以可溶性硅、电阻率、TOC、溶氧及细菌为关键性指标来对超纯水水质进行表征。超纯水制备技术从最初的物理蒸馏法发展到了如今以反渗透+电去离子技术相结合的先进制备工艺艺术。除此之外，随着技术的更新与发展，超纯水也被应用于各行各业，因此，市场前景广阔，发展空间巨大。但是，目前国内浸没式超纯水处理系统的工艺与美国等发达国家相比还有较大差距，研制符合浸没式光刻技术要求的超纯水处理系统具有重要

的现实意义。

部分内容如下：

工艺原理图

关键性能指标

研究指标对比

在线清洗单元

在线清洗单元原理